半导体材料产品信息
半导体材料共收录212个产品信息-
SGM31323YUDW8G/TR 封装UTDFN1.5x1.5-8L 预售芯片
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深圳科赛因电子有限公司
2024-04-27
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TI 61020DRCR DC-DC电源芯片 **
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深圳科赛因电子有限公司
2024-04-26
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GD32F303RET6 兆易 单片机MCU/MPU/SOC
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深圳科赛因电子有限公司
2024-04-25
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AD8603AUJZ-REEL7 ** 封装SOT23-5 射频低噪声放大器
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深圳科赛因电子有限公司
2024-04-24
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AD8224ACPZ-R7 封装LFCSP-16 仪表放大器
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深圳科赛因电子有限公司
2024-04-23
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FDN337N 封装SOT-23-3 场效应管MOSFET
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深圳科赛因电子有限公司
2024-04-22
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瑞昱RTL8852BM方案替代Intel AX200笔记本台式千兆WIFI6无线网卡
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深圳市汇英同创电子科技有限公司
2024-04-21
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STM32F103CBT6软硬件通用 国产替代者NS32F103CBT6
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深圳市汇英同创电子科技有限公司
2024-04-20
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NS32F103VBT6软硬件通用STM32F103VBT6
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深圳市汇英同创电子科技有限公司
2024-04-19
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MCU CM32M101A-B128-LQFP48软硬件通用STM32F103CBT6
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深圳市汇英同创电子科技有限公司
2024-04-18
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移动MCU CM32M101A-B128-LQFP64软硬件通用STM32F103RBT6
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深圳市汇英同创电子科技有限公司
2024-04-17
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国产** MCU FCM32F103C8T6 软硬件通用STM32F103C8T6
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深圳市汇英同创电子科技有限公司
2024-04-16
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国产** MCU FCM32F103RBT6 软硬件通用STM32F103RBT6
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深圳市汇英同创电子科技有限公司
2024-04-15
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国产**FCM32F103VBT6软硬件通用STM32F103VBT6
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深圳市汇英同创电子科技有限公司
2024-04-14
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电源管理IC EG1252 SOP-8
价格面议 - 产品简介：EG1252适合于中、大等功率反激电源方案以及正激电源方案.内置抖频功能，具有优良的 EMI 特性。芯片采用绿色节能模式和打嗝模式控制轻负载和零负载。内置有完备的保护功能： VCC 欠压保护（UVLO）、VCC 过压保护（VOP）、 逐周期电流限制 、输入欠压保护、过载保护、过热保护、软启动等。 产品广泛应用于电源适配器，移动电源，LED驱动电源、手机充电器、开关电源、节能灯、电子变压器等领域http:antech888.b2b168.com...
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深圳安泰半导体有限公司
2024-02-06
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ACDC控制芯片 S2263TH SOT23-6
价格面议 - 产品简介：原装现货，提供样品，**保证。产品广泛应用于适配器、LED驱动电源、手机充电器、开关电源、节能灯、电子变压器等领域http:antech888.b2b168.com...
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深圳安泰半导体有限公司
2024-02-06
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EG1253 SOP-8
价格面议 - 产品简介：EG1253EG1253是一款高性价比电流模式PWM控制器，适合于中、大等功率反激电源方案以及正激电源方案。具有优良的EMI特性，外围器件少，外置NTC温度保护功能，光耦开路保护，占空比50%，电流模式控制，外置电阻可设PWM频率，绿色模式和打嗝模式控制，逐周期电流限制。内置*消隐，内置斜坡补偿，低启动电流。产品适用于铅酸电池充电器，锂电池充电器，LED屏，适配器，电机驱动电源。http:antech888.b2b168.com...
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深圳安泰半导体有限公司
2024-02-06
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IC QH2535K SOT23-6
价格面议 - 产品简介：QH2535K是一款针对离线式反激电源设计的高性能PWM 控制器。内部具有高精度 65kHz 开关频率振荡器，且带有抖频功能可优化 EMI 性能。芯片采用绿色节能模式和打嗝模式工作，对于小于 40W 的应用可以保证小于 75mW 的待机功耗。有完备的保护功能，包括：VDD 欠压保护（UVLO）、VDD 过压保护（OVP）、 逐周期电流限制、短路保护（SCP）、过载保护（OLP）、过热保护、软启动、VDD 箝位和 CS 管脚开路保护等芯片内集成有通用的原边恒流控制技术，可支持断续模式和连续模式工作，适用于恒流输出的隔离型电源，充电器和适配器，电机驱动电源。http:antech888.b2b168.com...
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深圳安泰半导体有限公司
2024-02-06
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S1039N DFN5*6
价格面议 - 产品简介：S1039N 是一款恒压恒功率离线型电流模式 PWM 电源管理芯片，内置 0.55/650V 的高压功率 MOS 管。S1039N 具有全负载高效率、低空载损耗、低 EMI 干扰和高 EMS 抗干扰、较少外围应 用元件等优点。S1039N 在一定条件下适用于输入电压 AC90V-264V 的输出功率为 30W 以内的 离线式反激开关变换器，满足 6 级能效标准。S1039N采用DFN5*6并采用单边漏较并联封装增加散热效果。主要特点： 固定 65K 赫兹的开关频率， 内置抖频技术优化 EMI，根据负载大小自适应多种工作模式包括打嗝模式、绿色节能模式和定频 PWM 工作模式， 内置斜率补偿的峰值电流控制方式，内置过流点补偿优化宽输入电压范围内较大输出功率的一致性，内置*消隐技术，低空载待机功耗（<65mW@AC230V）， 支持恒压、恒功率输出，内置软启动技术，内置集成多种自保护功能. 产品应用范围： 充电器和适配器，电机驱动器http:antech888.b2b168.com...
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深圳安泰半导体有限公司
2024-02-06
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S1139N , DFN5*6
价格面议 - 产品简介：结合了**的电流模式 PWM 模式控制器和0.55 Ω/650V 冷 MOSFEET。S1139N 具有效率高、待机功耗低、 EMC 低、成本低等优点。它适用于36W 输出功率范围内的离线返驰式转换器。S1139N 提供全面的保护功能，包括 VCC 的逐周期电流限制(OCP)、过温保护(OTP)、过压钳位(OVP)和欠压锁定(UVLO)。S1139N电源芯片高度集成，内置0.55Ω**级硅开关管，集成反激控制器，采用DFN5*6封装，改善 EMI 性能的数字频率改组技术。固定的65kHz PWM 开关频率。电流感*冲裁。内部同步斜率补偿。低待机功耗(& lt; 75mW@AC230V)软启动，降低 MOSFET Vds 在综合保护功能中的功率压力1、 VCC 的低电压滞后锁定(UVLO)。2、 VCC 的过电压保护。3、逐周期电流限制。4、过载保护(OLP)5、过温保护(OTP)6、电流限制补偿在通用线路输入中获得相同的输出电流低启动电流(& lt; 10uA@VCC = 12V)应用手机充电器，数码相机充电器，电池充电器。http:antech888.b2b168.com...
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深圳安泰半导体有限公司
2024-02-06
